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ZHCS400中文资料

  • 大小:726.12KB
  • 厂家:SUNMATE/森美特
  • 描述:F Marking: S40 1 of 3 SILICON HIGH CURRENT SCHOTTKY BARRIER DIODE ZHCS400 Low V PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT Continuous Reverse Voltage V R 40 V Forward Current (Continuous) I F 400 mA Forward Voltage @ I F =400mA V F 500 mV Average Peak Forward Current; D.C. = 50% I FAV 1000 mA Non Repetitive Forward Current t100μs t10ms I FSM 6.75 3 A A Power Dissipation at T amb =25°C P tot 250 mW Storage Temperature Range T stg -55 to +150 °C PARAMETER SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNIT CONDITIONS Reverse Breakdown Voltage V (BR)R 40 60 V I R =200μA Forward Voltage V F 270 300 370 425 550 640 810 440 300 350 460 500 670 780 1050 mV mV mV mV mV mV mV mV I F =50mA I F =100mA I F =250mA I F =400mA I F =750mA I F =1000mA I F =1500mA I F =500mA, T amb =100°C Reverse Current I R 15 40 μA V R =30V Diode Capacitance C D 20 pF f=1MHz,V R =25V Maximum Ratings @ T A = 25°C unless otherwise specified Features Case: SOD-323, Molded Plastic Case material - UL Flammability Rating Classification 94V-0 Weight: 0.004 grams

ZHCS400供应商

更新时间:2022-12-31 14:49:29
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